高低溫探針臺主要用于材料電學(xué)表征和測量的微型桌面型電學(xué)測量臺,是專(zhuān)為晶片、器件和材料(薄膜、納米、石墨烯、電子材料、超導材料、鐵電材料等)提供真空和高低溫測試條件下進(jìn)行非破壞性的電學(xué)表征和測量平臺。主要用于介電、壓電、鐵電、熱釋電、光電等材料的電學(xué)性能表征和測量,還可以在真空、氣氛環(huán)境下對材料進(jìn)行電學(xué)測量評估,是實(shí)驗室測量薄膜材料電學(xué)材料常備工具,廣泛用于高校、科研、航天航空、軍工院所等領(lǐng)域。
性能優(yōu)勢:
1、滿(mǎn)足各種溫度的需求:可以滿(mǎn)足非常高的溫度或非常低的溫度的需求,因為晶圓在低溫大氣環(huán)境測試時(shí),空氣中的水汽會(huì )凝結在晶圓上,會(huì )導致漏電過(guò)大而使測試失敗。避免這些需要把真空腔內的水汽在測試前用泵抽走,并且保持整個(gè)測試過(guò)程泵的運轉。
當晶圓加熱至300℃,400℃,500℃甚至更高溫度時(shí),氧化現象會(huì )越來(lái)越明顯,并且溫度越高氧化越嚴重。過(guò)度氧化會(huì )導致晶圓電性誤差,物理和機械形變。避免這些需要把真空腔內的氧氣在測試前用泵抽走,并且保持整個(gè)測試過(guò)程泵的運轉。晶圓測試過(guò)程中溫度在低溫和高溫中變換,因為熱脹冷縮現象,定位好的探針與器件間會(huì )有相對位移,這時(shí)需要針座的重新定位,針座位于腔體外部。我們也可以選擇使用操作桿控制的自動(dòng)化針座來(lái)調整探針的位置。
2、體積小,穩定性高:與傳統探針臺相比,高低溫真空探針臺的穩定性更高,采用先進(jìn)的技術(shù)工藝,讓探針臺在工作過(guò)程中流暢性更高,平穩性更高,從而保證每次實(shí)驗數據的穩定性,這樣實(shí)驗得出的結果就會(huì )更加準確,對于企業(yè)快速研發(fā)新產(chǎn)品有很大幫助。
3、成本更低,可兼容直流跟射頻測試的運用:與傳統探針臺相比,高低溫探針臺采用先進(jìn)的合成材料,成本方面比傳統探針臺更低,但是功能性都更加強大。
使用范圍:
高低溫真空環(huán)境下的芯片測試,資料測試,霍爾測試,電磁輸運特性等。